3d x-dram 文章 最新資訊
美光正式送樣業(yè)界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對低功耗 DRAM 的需求
- 2025年 10 月 23 日，愛達(dá)荷州博伊西市 — 在當(dāng)今時代，人工智能（AI）實現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型，以支持可持續(xù)增長。隨著內(nèi)存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來越重要的作用，低功耗內(nèi)存解決方案已成為這一轉(zhuǎn)型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內(nèi)存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內(nèi)存在
- 關(guān)鍵字： 美光 SOCAMM2 DRAM
DRAM老三SK的大逆襲！專家揭稱霸全球關(guān)鍵技術(shù)
- 在人工智能（AI）熱潮帶動下，全球存儲器市場迎來三年來最強(qiáng)勁的復(fù)蘇，第四季DRAM報價漲幅可望擴(kuò)大至三成以上。 財信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價狂飆近500%，且海力士專注于高階制程，不僅拉高產(chǎn)品附加價值，也導(dǎo)致DDR4與DDR5大缺貨，同時帶旺整個存儲器產(chǎn)業(yè)。謝金河在臉書發(fā)文指出，韓國是今年全亞洲表現(xiàn)最亮眼的股市，尤其自總統(tǒng)李在明上任后，韓股從2284.71點一路漲到3617.86點，漲幅高達(dá)58.35%。 這波
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
3D-IC將如何改變芯片設(shè)計
- 專家在座：半導(dǎo)體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設(shè)計挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機(jī)會業(yè)務(wù)經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
- 關(guān)鍵字： 3D-IC 芯片設(shè)計
內(nèi)存模組廠十一長假大蓋牌！ 消費性DRAM暫停報價
- DRAM缺貨潮加速顯現(xiàn)，在中國十一長假期間，存儲器市場詢單備貨的動能不增反減，短期內(nèi)現(xiàn)貨價格持續(xù)飆升。近一周來，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調(diào)漲約8%。 盡管終端消費市場需求平淡，但各家存儲器模組廠觀察到市場價格漲勢兇猛，包括臺系業(yè)者的威剛、十銓、宇瞻等先后均「蓋牌」暫停報價，等待長假結(jié)束后更明確的漲價行情。 據(jù)悉，此波暫停報價儼然已形成了連鎖效應(yīng)，威剛率先從上周實施暫停報價，以缺貨最為嚴(yán)重的DDR4、DDR5為主，而NAND Flash、固態(tài)硬盤（SSD）等產(chǎn)品仍維持繼
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存模組 DRAM
長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元
- 總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責(zé)任公司（長存集團(tuán)）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機(jī)構(gòu)同步參與；7月，長存集團(tuán)新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 半導(dǎo)體 3D NAND 晶棧 Xtacking
因涉嫌向中國泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋
- 據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準(zhǔn)崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護(hù)工業(yè)技術(shù)法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權(quán)準(zhǔn)予保釋。此外，據(jù)報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星 海力士
三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場
- 各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補(bǔ)貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
- 關(guān)鍵字： 存儲器 1c DRAM AI HBM 三星 SK海力士 美光
第一次深入真正的3D-IC設(shè)計
- 專家在座：半導(dǎo)體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機(jī)會業(yè)務(wù)經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
- 關(guān)鍵字： 3D-IC設(shè)計
SK 海力士據(jù)報道與客戶協(xié)商價格調(diào)整，跟隨美光和三星
- 存儲巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場條件調(diào)整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據(jù) EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來源還表
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 三星 AI 海力士
存儲器行情來得又急又快 DRAM報價10月看漲雙位數(shù)
- 全球存儲器市場在生成式AI與大型云端服務(wù)商（CSP）急單帶動下，正式進(jìn)入新一輪長線上行。 隨著業(yè)界開始惜售，業(yè)者預(yù)期，10月DDR4與DDR5合約價及現(xiàn)貨價，皆將出現(xiàn)雙位數(shù)漲幅。產(chǎn)業(yè)界大老指出，這一波內(nèi)存行情漲得又快又急，可望一路延續(xù)到2026年底。根據(jù)業(yè)界對10月漲幅最新預(yù)估，DDR5合約價將上漲10~15%，現(xiàn)貨價漲15~25%; DDR4合約價將上漲逾10%，現(xiàn)貨價漲幅則超過15%，隨著市場供貨趨緊，現(xiàn)貨價漲幅還有進(jìn)一步拉升的可能。業(yè)者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應(yīng)用與儲存需求強(qiáng)勁，推升NAN
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
國產(chǎn)廠商切入下一代存儲技術(shù)：3D DRAM
- 隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應(yīng)用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進(jìn)一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲廠商也普遍將 3D
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動的EDA工具打破障礙
- 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應(yīng)對日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體設(shè)計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計和實施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動的電子設(shè)計自動化 （EDA） 工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
- 關(guān)鍵字： 汽車應(yīng)用 3D-IC 人工智能 EDA工具
2025年第二季度DRAM營收增長，SK海力士蟬聯(lián)第一
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收達(dá)到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出貨量的顯著提升，同時HBM出貨規(guī)模的擴(kuò)大也起到了推動作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機(jī)以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動DRAM原廠加速去庫存化，多數(shù)產(chǎn)品的合約價已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現(xiàn)相對平穩(wěn)，其售價和位元出貨量均
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴
- 根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 NAND DRAM
實現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
3d x-dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d x-dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3d x-dram相關(guān)帖子
3d x-dram資料下載
3d x-dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473